Un gran número del total de iPhone 6 y iPhone 6 Plus de 128 GB de almacenamiento está dando problemas de reinicios aleatorios y de fallos repentinos para muchos usuarios. Para solucionar estos inconvenientes en las nuevas unidades fabricadas a partir de ahora, Apple habría cambiado el tipo de tecnología NAND de la memoria flash.
Los iPhones fabricados hasta el momento tenían una tecnología de triple nivel de célula (TLC), sin embargo, el tipo que usarían para las nuevas unidades producidas desde esta semana es el de múltiple nivel de célula (MLC), anteriormente utilizado por la compañía para muchos otros dispositivos.
El problema con la memoria viene de una compañía adquirida por Apple.
Algunas fuentes indican que el problema en los iPhone 6 proviene precisamente de la empresa israelí Anobit, la cual fue adquirida por Apple en 2011 para ayudar a optimizar el almacenamiento de la memoria flash en los dispositivos iOS.
Parece ser que para ahorrar costes, Apple habría optado por utilizar la tecnología TLC en lugar de la MLC que ya se había estado usando anteriormente en muchos otros dispositivos sin ningún problema. Las diferencias residen en las velocidades de escritura y de lectura de la información.
Este problema solo estaría afectado a algunas unidades y, como este es únicamente de hardware, cualquier usuario puede dirigirse al servicio técnico de la compañía si experimenta un fallo de los descritos con anterioridad.
Vía | iDB